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外延
1.多尺寸:2”,3”,4”,6” 2.材料豐富:涵蓋GaAs、InP材料體系,可進行二元、三元、四元乃至五元材料的外延生長 3.不同結構:邊發射、垂直腔面激光器等 4.豐富的表征手段:如HRXRD,EL,PL,ECV,SEM,ELLIPSOMETRY等
掌握外延關鍵技術:
1.材料生長工藝優化 2.界面陡峭度 3.摻雜濃度控制 4.外延缺陷控制
代表性參數/設備:
1、外延片尺寸:2-6 inch
2、XRD曲線
3、量子阱PL
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